在商业航天及特种工业控制领域，微控制器单元（MCU）的抗辐射性能与系统可靠性直接关系到设备在极端环境下的运行效能。国科安芯AS32S601系列MCU基于自主RISC-V架构，其180MHz(AS32S601)的工作频率与抗辐射加固设计，为航天器电源管理、工业机器人运动控制及车载电子控制单元等应用场景提供了可靠的技术解决方案。
一、核心技术体系
1.1 自主RISC-V架构技术体系
该系列MCU采用开源RISC-V指令集架构，构建从核心处理器到编译工具链的完整自主技术生态。双核锁步架构通过实时校验机制实现指令级冗余容错，满足ISO 26262标准ASIL-B功能安全等级要求。基于55nm工艺制程实现的180MHz主频，其单周期指令执行效率达到1.9DMIPS/MHz，与同类国际产品性能参数基本持平。
1.2 抗辐射加固设计
针对空间辐射环境特性，采用创新性单粒子效应防护设计，其单粒子锁定阈值(SEL)≥75MeV·cm²/mg，单粒子翻转截面(SEU)≥75Mev·cm²/mg。通过三维电荷收集模型优化与敏感节点加固技术，实现总电离剂量(TID)耐受能力≥100krad(Si)，可在高能粒子辐照环境下保持稳定运行。
二、可靠性保障机制
2.1 多层次防护架构
系统集成四维防护体系：单粒子翻转(SEU)加固单元防止数据异常，单粒子锁定(SEL)抑制电路阻断寄生电流，瞬态脉冲滤波模块消除信号干扰，以及HBM模式ESD保护结构实现±4kV静电防护。各防护单元采用独立供电域设计，有效规避级联失效风险。
2.2 宽温域适应性
基于深阱隔离工艺与温度补偿电路设计，器件在-55℃至125℃工作温域内保持±1.5%时钟精度。存储器单元配置ECC纠错机制，SRAM单元刷新周期可自适应温度变化动态调整，确保极端温度条件下的数据完整性。
三、AS32S601技术参数
该MCU采用RV32IMAFDC指令集架构，集成双核锁步RISC-V处理器，配备2MB带ECC校验的Flash存储单元与512KB SRAM。外围接口支持CAN FD(5Mbps)、MIL-STD-1553B(4Mbps)及10/100M以太网通信协议，集成12位ADC(1MSPS)与8位DAC模块。电源管理系统支持2.7V-5.5V宽电压输入，静态功耗控制在150μA@32kHz运行模式。
四、应用验证
目前该系列产品已经在多家商业航天设计公司和方案商进行验证测试，部分厂家已通过测试，后续进行项目批量应用。
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AS32S601是国科安芯研制的一款基于RISC-V架构MCU芯片，具有完全自主可控、高安全、接口丰富等特点。支持双核锁步架构，支持RV32IMAFDC或者RV32G指令集，主频高达180MHz，支持CANFD、以太网、PWM、ADC、ACMP、DAC等接口。通过AEC-Q100车规认证，满足ASIL-B功能安全等级，芯片设计、生产、封装、测试、认证等全流程国产化并提供国产化证明。采用先进抗辐照加固设计，可应用于商业航天、军工等高安全需求场景。
| 性能参数 l 内核：32位 RISC-V双核锁步内核 | 产品特点 l 抗辐照： |
| l 指令集：支持RV32IMAFDC或RV32G指令集 | TID≥100krad(Si) |
| l 主频：180MHz | SEU≥75Mev.cm2/mg or 10^(-5) times/device.day |
| l 存储：2MB Flash（ECC）、512KB SRAM（ECC） | SEL≥75Mev.cm2/mg |
| l 接口：CANFD、MIL-STD-1553B、以太网、 LIN、ADC、DAC等 | l 功能安全等级：ASIL-B |
| l 供电：2.7V~5.5V单电源供电 l 工作温度：-55℃~125℃ | l 车规认证：AEC-Q100 |
